闪存做为设备的主内存速度太慢，但随机存取存储器（RAM）价格昂贵且不稳定。感谢来自IBM的突破，相变存储器（PCM）有朝一日可能取代他们。被使用在光盘和其它技术的基于晶体的存储已经至少15年，但该技术受已限于成本和存储密度-组件是“关”或“开”。然而IBM的研究人员已经找到了每组件如何节省三位数据，大大提高原有技术的能力。
为了在一个蓝光光盘上存储PCM数据，施加高电流到无定形的（非结晶的）的玻璃材料，将它们变成更导电的结晶形式。要读回它，你施加一个较低的电压测量电导率-当它高时，状态为“1”，而当它低时，它为“0”。通过加热所述材料，更多的状态可被存储，但问题是该晶体可以取决于环境温度而“漂移”。IBM的团队想出如何跟踪和编码这些变化，并在它被写入后很长时间，他们能够可靠地读取每组件三位数据。
这突然让PCM更有趣-其速度是目前比闪存要好得多，但因为低密度所以成本跟RAM一样高。IBM研究中心Haris Pozidis博士说：“每组件读3位数据是一个显著的里程碑，因为在这个密度下PCM的成本会显著比DRAM低且越接近闪存”。随着这项发现，相变存储器可用范围不仅限于光盘。
例如，PCM存储器可以结合着闪存来使用，为手机创建极快缓存。根据研究人员表示，“移动电话的操作系统可以存储在PCM，使电话在几秒钟启动”。它也可以取代常规的固态硬盘在时间限制的应用程序，因为PCM内存可以在不到1微秒读取数据，相比闪光是70微秒。当然，RAM仍然是快得多，但在某些应用中，PCM可以工作为“通用”存储和替换RAM和闪存.
英文原文：http://www.engadget.com/2016/05/17/ibm-research-phase-change-memory/
为了在一个蓝光光盘上存储PCM数据，施加高电流到无定形的（非结晶的）的玻璃材料，将它们变成更导电的结晶形式。要读回它，你施加一个较低的电压测量电导率-当它高时，状态为“1”，而当它低时，它为“0”。通过加热所述材料，更多的状态可被存储，但问题是该晶体可以取决于环境温度而“漂移”。IBM的团队想出如何跟踪和编码这些变化，并在它被写入后很长时间，他们能够可靠地读取每组件三位数据。
这突然让PCM更有趣-其速度是目前比闪存要好得多，但因为低密度所以成本跟RAM一样高。IBM研究中心Haris Pozidis博士说：“每组件读3位数据是一个显著的里程碑，因为在这个密度下PCM的成本会显著比DRAM低且越接近闪存”。随着这项发现，相变存储器可用范围不仅限于光盘。
例如，PCM存储器可以结合着闪存来使用，为手机创建极快缓存。根据研究人员表示，“移动电话的操作系统可以存储在PCM，使电话在几秒钟启动”。它也可以取代常规的固态硬盘在时间限制的应用程序，因为PCM内存可以在不到1微秒读取数据，相比闪光是70微秒。当然，RAM仍然是快得多，但在某些应用中，PCM可以工作为“通用”存储和替换RAM和闪存.
英文原文：http://www.engadget.com/2016/05/17/ibm-research-phase-change-memory/